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J-GLOBAL ID：200903052458717589

ウラン(U)含量の少ないハイドロタルサイト類化合物およびその製造法

Inventor：
岡田 彰

About 岡田 彰

, 
山下 聡子

About 山下 聡子

, 
清水 晃治

About 清水 晃治


Applicant, Patent owner：
協和化学工業株式会社

About 協和化学工業株式会社


Agent (1)： 小田島 平吉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998333357
Publication number (International publication number)：2000159520
Application date： Nov. 10, 1998
Publication date： Jun. 13, 2000
Summary：
【要約】【課題】 特にトランジスタ、IC、LSI等の半導体素子用の封止剤として使用される、例えばエポキシ樹脂等の合成樹脂用添加剤として有用なハイドロタルサイト類化合物を提供する。【解決手段】本発明は、下記式【化1】式中 M<SP>2+</SP>はMg<SP>2+</SP>およびZn<SP>2+</SP>の少なくとも1つ、xは0.2≦x<0.5の正数、A<SP>2-</SP>はCO<SB>3</SB><SP>2-</SP>およびSO<SB>4</SB><SP>2-</SP>の少なくとも1つ、mは0〜2の数を示すの組成を有し、ウラン(U)含量が10ppb以下、平均2次粒子径が約3μm以下で、かつBET比表面積が30m<SP>2</SP>/g以下であることを特徴とするハイドロタルサイト類化合物に関する。
Claim (excerpt)：
式(1)【化1】式中 M<SP>2+</SP>はMg<SP>2+</SP>およびZn<SP>2+</SP>の少なくとも1つ、xは0.2≦x<0.5の正数、A<SP>2-</SP>はCO<SB>3</SB><SP>2-</SP>およびSO<SB>4</SB><SP>2-</SP>の少なくとも1つ、mは0〜2の数を示すの組成を有し、ウラン(U)含量が10ppb以下、平均2次粒子径が約3μm以下で、かつBET比表面積が30m<SP>2</SP>/g以下であることを特徴とするハイドロタルサイト類化合物。
IPC (7)：
C01F 7/00 ,  C01F 7/76 ,  C01G 9/00 ,  C08K 3/26 ,  C08K 9/04 ,  C09C 1/40 ,  C09C 3/08
FI (7)：
C01F 7/00 C ,  C01F 7/76 ,  C01G 9/00 B ,  C08K 3/26 ,  C08K 9/04 ,  C09C 1/40 ,  C09C 3/08
F-Term (62)：
4G047AA05 ,  4G047AB02 ,  4G047AC03 ,  4G047AD03 ,  4G076AA10 ,  4G076AA18 ,  4G076AA19 ,  4G076AA21 ,  4G076AB06 ,  4G076AB08 ,  4G076BA13 ,  4G076BA15 ,  4G076BA43 ,  4G076BC02 ,  4G076BD01 ,  4G076BD02 ,  4G076BF06 ,  4G076CA05 ,  4G076CA28 ,  4G076CA37 ,  4G076DA02 ,  4J002BB031 ,  4J002BB051 ,  4J002BB061 ,  4J002BB071 ,  4J002BB111 ,  4J002BB121 ,  4J002BB151 ,  4J002BB171 ,  4J002BB241 ,  4J002CD021 ,  4J002CD041 ,  4J002CD051 ,  4J002CF061 ,  4J002CF071 ,  4J002CK021 ,  4J002CL011 ,  4J002CL031 ,  4J002DE286 ,  4J002FB096 ,  4J002FB166 ,  4J002FB236 ,  4J002FB246 ,  4J002FD016 ,  4J037AA09 ,  4J037AA11 ,  4J037AA24 ,  4J037AA30 ,  4J037CB09 ,  4J037CB22 ,  4J037CB23 ,  4J037CB26 ,  4J037DD05 ,  4J037DD07 ,  4J037DD24 ,  4J037DD27 ,  4J037EE02 ,  4J037EE28 ,  4J037EE43 ,  4J037EE46 ,  4J037EE47 ,  4J037FF30
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
  • 特公昭47-032198
  • 特開平4-202555
  • 特開昭58-204828
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Cited by examiner (11)
  • ハイドロタルサイトの製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-120274   Applicant：旭電化工業株式会社
  • 特開平4-202555
  • 特開昭58-204828
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