単結晶製造装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊藤求馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998080360
Publication number (International publication number)：1999255597
Application date： Mar. 12, 1998
Publication date： Sep. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】成長結晶の中央部が熱エッチングされるのを防止し、長尺化を図る。【解決手段】るつぼ2内に炭化珪素原料粉末4と単結晶成長基板6を対向配置するとともに、これらの間に遮蔽板7を設ける。遮蔽板7は、中央部が凹陥する形状に形成され、単結晶成長基板6と遮蔽板7の中央部71との距離が、単結晶成長基板6と遮蔽板7の周辺部72との距離より大きくなるようにする。これにより、中央部71からの輻射熱が低減し、単結晶8中央部の温度が低くなるため熱エッチングが防止できる。

Claim (excerpt)：

るつぼ内に原料粉末と単結晶成長基板とを対向して配置し、上記原料粉末と上記単結晶成長基板の間に遮蔽板を設けて、上記原料粉末が加熱昇華する際の輻射熱から上記単結晶成長基板を保護しつつ、上記単結晶成長基板上に単結晶を成長させる単結晶製造装置において、上記遮蔽板を中央部が凹陥する形状とし、上記単結晶成長基板と上記遮蔽板の中央部との距離が、上記単結晶成長基板と上記遮蔽板の周辺部との距離より大きくなるようにしたことを特徴とする単結晶製造装置。

IPC (2)：

C30B 23/00 , C30B 29/36

FI (2)：

C30B 23/00 , C30B 29/36 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-025396 Applicant：株式会社デンソー
単結晶成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-120637 Applicant：株式会社豊田中央研究所

Cited by examiner (2)

炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-025396 Applicant：株式会社デンソー
単結晶成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-120637 Applicant：株式会社豊田中央研究所

Return to Previous Page