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J-GLOBAL ID：200903052519149198

SOIウエーハの製造方法ならびにこの方法で製造されるSOIウエーハ

Inventor： 横川 功 ,  楯 直人 ,  三谷 清
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998208710
Publication number (International publication number)：2000030995
Application date： Jul. 07, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 バイポーラデバイスやパワーデバイス用として有用な、良好な膜厚均一性を有し、結晶性に優れた厚膜SOI層を有するSOIウエーハを提供する。【解決手段】 二枚の単結晶シリコンウエーハのうち、少なくとも一方に酸化膜を形成すると共に、一方のシリコンウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオンを注入してイオン注入層を形成させた後、該イオンを注入した方の面を酸化膜を介して他方のシリコンウエーハと密着させ、次いで熱処理を加えて該イオン注入層を劈開面として一方のシリコンウエーハを薄膜状に分離してSOI層を有するSOIウエーハを作製した後、該SOI層上にエピタキシャル層を成長させて厚膜SOI層を形成させるSOIウエーハの製造方法とこの製法により製造された膜厚均一性の高い厚膜SOI層を有するSOIウエーハ。

Claim (excerpt)：

二枚の単結晶シリコンウエーハのうち、少なくとも一方に酸化膜を形成すると共に、一方のシリコンウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオンを注入してイオン注入層を形成させた後、該イオンを注入した方の面を酸化膜を介して他方のシリコンウエーハと密着させ、次いで熱処理を加えて該イオン注入層を劈開面として一方のシリコンウエーハを薄膜状に分離してSOI層を有するSOIウエーハを作製した後、該SOI層上にエピタキシャル層を成長させて厚膜SOI層を形成させることを特徴とするSOIウエーハの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-080939   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-125506   Applicant：株式会社デンソー