シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997080939
Publication number (International publication number)：1998275905
Application date： Mar. 31, 1997
Publication date： Oct. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】シリコンウェーハ表面の化学的機械的研磨による表面不良のないSOI構造のシリコンウェーハを得る。【解決手段】シリコンウェーハ表面から、水素イオン注入を行なって、水素注入層を形成し、これを加熱して水素注入層からシリコン表面を剥がした後、シリコンウェーハを水素雰囲気中でアニールして剥がれた表面を平坦にする。また、水素雰囲気中のプラズマ処理によりアニールを行う。また、ラピッドサーマルアニールによりアニールを行う。

Claim (excerpt)：

表面にシリコン酸化膜が形成されたシリコンウェーハ材の一の主面から水素イオンを注入して水素注入層を形成する工程と、上記シリコンウェーハ材の上記一の主面に基板材を張り合わせる工程と、上記シリコンウェーハ材を加熱して上記シリコンウェーハ材の上記基板材と張り合わされた部分のシリコンウェーハを上記水素注入層において剥ぐ工程と、上記基板材と張り合わされて剥がされた部分の上記シリコンウェーハを水素雰囲気中でアニールして剥がされた表面を平坦にする工程とを含むことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/12 , H01L 21/02

FI (2)：

H01L 27/12 B , H01L 21/02 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

薄い半導体材料フィルムの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-246594 Applicant：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク
半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-211616 Applicant：株式会社東芝
シリコンウェーハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-049983 Applicant：東芝セラミックス株式会社

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