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J-GLOBAL ID：200903052574182161

炭素含有層の付着強化と酸化最小限化のためのプラズマ処理

Inventor：
ジュディ エイチ. ファン

About ジュディ エイチ. ファン


Applicant, Patent owner：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

About アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド


Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000183477
Publication number (International publication number)：2001060584
Application date： Jun. 19, 2000
Publication date： Mar. 06, 2001
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、一般に、追加層を堆積することなく、炭素含有層の改善された付着及び酸化抵抗を提供する。【解決手段】 一態様において、本発明は、シリコンカーバイドのような炭素含有材料の露出表面を、ヘリウム(He)、アルゴン(Ar)又は他の不活性ガスプラズマや、一酸化二窒素(N2O)プラズマのような酸素含有プラズマで処理する。その他の炭素含有材料としては、有機高分子材料、アモルファス炭素、アモルファスフルオロ炭素及び他の炭素含有材料が含まれる。フ ゚ラス ゙マ処理は、処理される層の堆積に引き続きインサイチュで行われることが好ましい。堆積及びフ ゚ラス ゙マ処理がインサイチュで行われるプロセッシングチャンバは、炭素含有層と同一又は類似の前駆体が送られるよう構成されることが好ましい。しかしながら、層は異種の前駆体で堆積され得る。また、本発明は、処理プラズマを発生させるプロセッシング様式及びその処理フ ゚ラス ゙マを使うシステムを提供する。炭素含有層は、バリア層、エッチストップ、ARC、保護層及び誘電層等の様々な層に使用可能である。
Claim (excerpt)：
炭素含有層を処理プラズマに露射する工程を備える、基板上の炭素含有層を堆積後に処理する方法。
IPC (3)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/768
FI (3)：
H01L 21/302 N ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/90 P
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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