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J-GLOBAL ID:200903052582540964

デュアルバンドマルチレベルマイクロブリッジ検出器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1997519165
Publication number (International publication number):2000500577
Application date: Nov. 15, 1996
Publication date: Jan. 18, 2000
Summary:
【要約】第一の波長範囲の入射放射線を吸収し、第二の波長範囲の入射放射線を吸収するデュアルバンド検出器。デュアルバンド検出器は、半導体基板と、半導体基板の上方に配置された第一のマイクロブリッジ検出レベルとを含む。第一のマイクロブリッジ検出レベルは、第一の波長範囲および第二の波長範囲の一方の入射放射線を吸収する動作区域を含む。一つの実施態様では、半導体基板は、第一の波長範囲および第二の波長範囲の他方の入射放射線を検出する検出器を含む。もう一つの実施態様では、デュアルバンドマイクロブリッジ検出器はまた、第二のマイクロブリッジ検出レベルを含む。第二のマイクロブリッジ検出レベルもまた、第一の波長範囲および第二の波長範囲のいずれか一方の入射放射線を吸収する動作区域を含む。この装置により、デュアルバンド検出器は、第一の波長範囲および第二の波長範囲で動作することができる。加えて、この装置は、既存の加工技術を使用して製作することができる。
Claim (excerpt):
第一の波長バンドの入射放射線を吸収する検出装置を含む半導体基板と、 第二の波長バンドの入射放射線を吸収する感知要素を含むマイクロブリッジ検出レベルと、 第二の波長範囲の吸収された入射放射線に応答して、検出された信号を感知要素から半導体基板に結合するための手段と、を含むことを特徴とするデュアルバンド検出器。
IPC (2):
G01J 5/24 ,  H01L 27/14
FI (2):
G01J 5/24 ,  H01L 27/14 K
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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