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J-GLOBAL ID：200903052598906721

電界検出装置

Inventor：
戸叶 祐一

About 戸叶 祐一


Applicant, Patent owner：
株式会社トーキン

About 株式会社トーキン


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995273448
Publication number (International publication number)：1997089961
Application date： Sep. 26, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：
【要約】【課題】 半波長電圧Vπを高めることによって、高電界の検出を可能にすると共に、入射光の偏波に依存することがなく、従って、偏光調整手段を要せず、コスト高騰のもととなる偏波保持ファイバに代えて、シングルモードファイバを用いることができる電界検出装置を供すること。【解決手段】 電気光学結晶基板11の結晶軸のZ軸方向に二つの位相シフト光導波路13を形成し、その近傍に変調電極15を設ける。
Claim (excerpt)：
電気光学結晶基板上に形成した入射光導波路、該入射光導波路から分岐した二つの位相シフト光導波路、該二つの位相シフト光導波路が再び結合した出射光導波路、前記二つの位相シフト光導波路の近傍に対をなして形成した変調電極、及び該変調電極に接続されたアンテナ部からなり、電界によって前記アンテナ部に誘導され、前記変調電極に印加された電圧に依存して、前記光導波路を通った出射光の強度を変調するセンサヘッドと、該センサヘッドに接続した入力光ファイバ及び出力光ファイバと、前記入力光ファイバの他の一端に接続した光源と、前記出力光ファイバの他の一端に接続した光検出器と、該光検出器の出力を入力とする計測器とから構成した電界検出装置において、前記二つの位相シフト光導波路を前記電気光学結晶基板のZ軸方向に形成したことを特徴とする電界検出装置。
IPC (4)：
G01R 29/12 ,  G01R 15/24 ,  G01R 29/08 ,  G02F 1/035
FI (4)：
G01R 29/12 F ,  G01R 29/08 F ,  G02F 1/035 ,  G01R 15/07 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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