窒化物半導体の電極

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995082428
Publication number (International publication number)：1996279643
Application date： Apr. 07, 1995
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】窒化物半導体と接着力が強い電極を提供するものであり、詳しくは窒化物半導体層に絶縁膜を介して形成された電極の接着力を向上させることにより、窒化物半導体を用いたLED、LD、受光素子等、各種デバイスの信頼性を向上させる。【構成】窒化物半導体4と電気的に接続された電極10が絶縁膜5を介して形成されており、絶縁膜5と電極10との間に電極と絶縁膜との接着力よりも大きな接着力を有する金属薄膜6が形成されている。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体と電気的に接続された電極が絶縁膜を介して形成されており、さらに前記絶縁膜と前記電極との間に電極と絶縁膜との接着力よりも大きな接着力を有する金属薄膜が形成されていることを特徴とする窒化物半導体の電極。

IPC (3)：

H01S 3/096 , H01L 29/43 , H01L 33/00

FI (5)：

H01S 3/096 , H01L 33/00 E , H01L 29/46 R , H01L 29/46 H , H01L 29/46 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-242985
半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-277138 Applicant：日本電気株式会社
特開平1-143259

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