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J-GLOBAL ID：200903052629197201

微細パターン形成方法

Inventor： 勝山 亜希子 ,  遠藤 政孝 ,  笹子 勝 ,  浦野 文良 ,  藤江 啓利
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社 ,  和光純薬工業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993269120
Publication number (International publication number)：1994214402
Application date： Oct. 27, 1993
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】 レジストパターンの寸法変動を伴なうことなくレジストパターンの耐熱性を向上させることを目的とする。【構成】 半導体基板1上に、フェノール性水酸基の少なくとも一部が酸の作用により脱離し易い保護基により置換された高分子化合物又は単分子化合物を主成分とする放射線感応性材料からなる化学増幅型レジスト2を塗布する。次に、化学増幅型レジスト2に対して露光するか又は放射線を照射した後に、化学増幅型レジスト2を現像することにより、レジストパターン2Aを形成する。次に、半導体基板1の温度を化学増幅型レジスト2のガラス転移点以下に保った状態で、レジストパターン2Aに放射線を全面照射して化学増幅型レジスト2中の保護基を脱離させることにより、レジストパターン2の耐熱性を向上させる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、フェノール性水酸基の少なくとも一部が酸の作用により脱離し易い保護基により置換された高分子化合物又は単分子化合物を主成分とする放射線感応性材料からなる化学増幅型レジストを塗布するレジスト塗布工程と、上記化学増幅型レジストに対して露光するか又は放射線を照射した後に、上記化学増幅型レジストを現像することにより、上記化学増幅型レジストからなるレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、上記半導体基板の温度を上記化学増幅型レジストのガラス転移点以下に保った状態で上記レジストパターンに放射線を全面照射して上記化学増幅型レジスト中の保護基を脱離させることにより上記レジストパターンの耐熱性を向上させる耐熱性付与工程とを備えていることを特徴とする微細パターン形成方法。

IPC (3)：

G03F 7/40 501 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/302

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開昭63-025646
  
• 特開昭63-092021
  
• 特開昭63-220523
  
• 特開昭63-115336
  
• 特公平3-003378
  
• レジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-136434   Applicant：日本電気株式会社