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J-GLOBAL ID：200903052654039955

絶縁膜の形成方法及び半導体装置

Inventor： 工藤 寛 ,  篠原 理華
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995115580
Publication number (International publication number)：1996316231
Application date： May. 15, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】 絶縁膜の形成方法及び半導体装置に関し、原料ガスの種類に依存することなく、経時的に安定した特性を有する低誘電率のPCVD-SiOF膜を設けた半導体装置を得る。【構成】 絶縁膜を形成する原料ガスとして、Si供給用ガス(図1の22,28)、酸素供給用ガス(図1の13,16)、及び、フッ素供給用ガス(図1の10,19,25)を用いると共に、得られたSiOF膜の密度が2.25g/cm3 以上となる成膜条件のプラズマ化学気相成長法を用いてSiOF膜を形成する。

Claim (excerpt)：

プラズマ化学気相成長法を用いた絶縁膜の形成方法において、絶縁膜を形成する原料ガスとして、Si供給用ガス、酸素供給用ガス、及び、フッ素供給用ガスを用いると共に、得られた前記絶縁膜の密度が2.25g/cm3 以上であることを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (2)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/31 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 誘電体及びその製造方法並びに半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-040929   Applicant：株式会社日立製作所