等電子コドーピング

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：朝日奈宗太 , 佐木啓二 , 秋山文男 , 田中弘
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002564767
Publication number (International publication number)：2004537159
Application date： Feb. 09, 2001
Publication date： Dec. 09, 2004
Summary：

深いアクセプターと深いドナーでの半導体化合物および合金の等電子コドーピングが、バンドギャップを低減するため、得られる合金中のドーパント成分濃度を高めるため、およびキャリア移動度寿命を長くするために使用される。GaAsおよびGaPのようなIII-V族化合物および合金は、太陽電池、熱光起電電池、発光ダイオード、光検出器およびレーザを、GaP、InP、GaAs、GeおよびSi基板上に特製するために、たとえばチッ素およびビスマスで等電子的にコドープされる。等電子的にコドープされたII-VI族化合物および合金も、本発明に含まれる。

Claim (excerpt)：

独占的な所有および特権を請求する本発明の態様を、以下に示す。

IPC (6)：

H01L31/04 , H01L27/14 , H01L31/10 , H01L33/00 , H01S5/183 , H01S5/343

FI (6)：

H01L31/04 E , H01L33/00 B , H01S5/183 , H01S5/343 , H01L31/10 A , H01L27/14 K

F-Term (29)：

4M118AA10 , 4M118AB05 , 4M118BA06 , 4M118CA03 , 4M118CA14 , 4M118CB02 , 4M118GA10 , 5F041CA05 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA37 , 5F041CA57 , 5F041CB15 , 5F049MA01 , 5F049MB07 , 5F049SS04 , 5F051AA02 , 5F051AA08 , 5F051AA16 , 5F051DA03 , 5F051DA17 , 5F051DA19 , 5F073AA46 , 5F073AA74 , 5F073AB17 , 5F073CA02 , 5F073CB02 , 5F073CB04 , 5F073CB16

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Solid State Communications, 198812, vol.68, No.9, pages 853-858

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