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J-GLOBAL ID:200903052684452156

薄膜型圧電センサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 原 謙三
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002352567
Publication number (International publication number):2004184274
Application date: Dec. 04, 2002
Publication date: Jul. 02, 2004
Summary:
【課題】良好な圧電性を有する、小型で耐熱性に優れた低価格の薄膜型圧電センサを提供する。【解決手段】基板1表面に、下地層2、圧電薄膜層3、および上部電極4をこの順に積層して形成された薄膜型圧電センサの、圧電薄膜層3にキュリー温度の存在しない窒化アルミニウム(AlN)や酸化亜鉛(ZnO)もしくはこれら薄膜材料と同効の圧電材料を用いることにより薄膜型圧電センサの耐熱性や耐久性を良好なものとする。また、圧電薄膜層3中の結晶の双極子配向度を制御して、75%以上とすることにより圧電性が保証される。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
基板表面に、第1の電極層、圧電層、および第2の電極層をこの順に積層して形成された薄膜型圧電センサであって、 上記圧電層が、キュリー温度が存在しない圧電材料からなり、その双極子配向度が75%以上であることを特徴とする薄膜型圧電センサ。
IPC (3):
G01L1/16 ,  H01L41/08 ,  H01L41/18
FI (4):
G01L1/16 C ,  G01L1/16 A ,  H01L41/08 Z ,  H01L41/18 101Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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