CVD蒸着膜の電子ビーム改質による低誘電率材料の形成

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：田中大輔
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001560432
Publication number (International publication number)：2003523624
Application date： Feb. 02, 2001
Publication date： Aug. 05, 2003
Summary：

【要約】マイクロ電子デバイス製造用の低誘電率誘電体膜の形成方法。基板の表面上に層を形成するために、化学気相蒸着装置内で、モノマーまたはオリゴマー誘電体前駆体、または装置内で前駆体から形成される反応生成物を、基板上に化学気相蒸着させることによって基板上に誘電体層を形成する。任意選択でこの層を乾燥するのに十分な時間と温度で層を加熱したのち、次いで、この層を改質するのに十分な時間、温度、電子ビームエネルギーおよび電子ビーム線量で、層を電子ビーム照射に露光する。電子ビーム露光ステップは、大面積電子ビームソースからの電子ビーム照射の広く大きなビームで、誘電体層の全面を露光することによって行われる。

Claim (excerpt)：

基板上に誘電体層を形成する方法であって、化学気相蒸着装置内でモノマーまたはオリゴマー誘電体の前駆体を基板上に化学気相蒸着させるか、または装置内で前駆体から形成される反応生成物を基板上に蒸着させて、基板の表面上に層を形成し、任意選択で層を乾燥するのに十分な時間と温度で層を加熱し、次いで、層を改質するのに十分な時間、温度で電子ビームエネルギーおよび電子ビーム線量で層を電子ビーム照射に露光すること、を含む方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 , H01L 21/768 , C23C 16/56

FI (4)：

H01L 21/316 P , C23C 16/56 , H01L 21/90 P , H01L 21/90 S

F-Term (60)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BA28 , 4K030BA38 , 4K030BA42 , 4K030BA44 , 4K030BA61 , 4K030CA04 , 4K030DA08 , 4K030LA01 , 4K030LA15 , 5F033GG00 , 5F033GG01 , 5F033GG02 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033MM01 , 5F033QQ08 , 5F033QQ10 , 5F033QQ25 , 5F033QQ49 , 5F033QQ54 , 5F033QQ74 , 5F033RR01 , 5F033RR02 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR07 , 5F033RR08 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033RR23 , 5F033SS03 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS13 , 5F033WW00 , 5F033WW03 , 5F033WW05 , 5F033WW07 , 5F033WW08 , 5F033WW09 , 5F033XX24 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC05 , 5F058BC08 , 5F058BF07 , 5F058BF25 , 5F058BF29 , 5F058BF46 , 5F058BH20 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

電子ビームを利用した半導体装置の層間絶縁膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-106747 Applicant：三星電子株式会社

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