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J-GLOBAL ID：200903052752427386

陽極接合構造体及びその製造方法並びにこれを利用した光スキャナーの製造方法

Inventor：
高 泳 哲

About 高 泳 哲

, 
李 振 鎬

About 李 振 鎬

, 
李 昌 洙

About 李 昌 洙


Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (1)： 磯野 道造
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003051619
Publication number (International publication number)：2004042248
Application date： Feb. 27, 2003
Publication date： Feb. 12, 2004
Summary：
【課題】安定した操作が可能な光スキャナーの製造方法を提供する。【解決手段】陽極接合構造体は、基板23と基板23の上部に配置されるガラス板25とを備え、基板23とガラス板25との間に最上部が誘電体膜22となるように少なくとも1層以上の金属膜21及び誘電体膜22が積層され、最上部の誘電体膜22とガラス板25とが陽極接合された構成である。陽極接合構造体の製造方法は、基板とガラス板との間に少なくとも1層以上の誘電体及び金属膜を蒸着させて最上部に誘電体を形成する段階と、最上部の誘電体とガラス板とを陽極接合させる段階とより成る。これにより、基板とガラス板との間に金属膜と誘電体とを積層する構造となり、誘電体とガラス板との陽極接合、誘電体と金属膜との陽極接合を可能にして安定した性能を具現できるので多様なMEMS素子を製造できる。【選択図】 図2A
Claim (excerpt)：
基板と、前記基板の上部に配置されるガラス板とを備える構造体であって、 前記基板と前記ガラス板との間に、最上部が誘電体膜となるように、少なくとも1層以上の金属膜及び誘電体膜が積層され、そして前記最上部の誘電体膜と前記ガラス板とが陽極接合された構成であることを特徴とする陽極接合構造体。
IPC (4)：
B81B1/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G02B26/10
FI (4)：
B81B1/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G02B26/10 104Z
F-Term (1)：
2H045AB73
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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