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J-GLOBAL ID：200903052829841156

強誘電体薄膜の形成方法、薄膜形成用塗布液

Inventor： 金原 隆雄 ,  小岩 一郎 ,  見田 充郎
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996013054
Publication number (International publication number)：1997208225
Application date： Jan. 29, 1996
Publication date： Aug. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】 下部電極の材料として一般的なPtに対するぬれ性が良好な、強誘電体薄膜の湿式法による形成方法、およびそれに用いる薄膜形成用塗布液を提供する。【解決手段】 薄膜形成用塗布液をSr、Bi、およびTa(またはNbまたはTi)の成分元素の金属アルコキシドを含み、溶媒がメトキシプロパノールである構成のものとする。この塗布液を用いて、湿式法により形成する。

Claim (excerpt)：

成分元素としてSr(ストロンチウム)、Bi(ビスマス)、およびTa(タンタル)を含むBi(ビスマス)層状化合物から成る強誘電体薄膜を湿式法により形成するに当たり、塗布液として、Sr、Bi、およびTaそれぞれの金属アルコキシドを含むメトキシプロパノール溶液を用いることを特徴とする強誘電体薄膜の形成方法。

IPC (7)：

C01G 29/00 ,  H01B 3/00 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

C01G 29/00 ,  H01B 3/00 F ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• DRAM用キャパシタセル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-129609   Applicant：株式会社リコー