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J-GLOBAL ID：200903052836001759

リ-ドフレ-ム及び半導体装置

Inventor： 上田 弘孝
Applicant, Patent owner： 株式会社三井ハイテック
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994261761
Publication number (International publication number)：1996107174
Application date： Sep. 30, 1994
Publication date： Apr. 23, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 微細なピッチで形成された回路パタ-ンに対して、確実に均一な接合強度でインナーリードを接続でき、接続部が高融点となりその後に表面実装やダイボンディング等で加熱作用を受けても接続不良が生ぜず信頼性のすぐれたリードフレーム及びこれを用いた半導体装置を得る。【構成】 半導体チップ搭載領域2の周りに形成したインナーリード1の先端部に、高融点半田をつけその表層にSnを被覆9しているリードフレームである。また、前記リードフレームのインナーリードとチップ搭載基板に形成した回路パタ-ンを接続した複合リードフレーム、及びこれを用いた半導体装置である。

Claim (excerpt)：

半導体チップ搭載領域の周りに形成したインナーリードの先端部に、高融点半田をつけその表層にSnを被覆していることを特徴とするリードフレーム。

IPC (2)：

H01L 23/50 ,  H01L 21/60 301

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体素子収納用パッケージ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-107099   Applicant：京セラ株式会社
• 特開昭58-052860