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J-GLOBAL ID：200903052930763034

金属酸化物または金属シリケートゲート誘電体層を有する半導体デバイスの製造方法

Inventor： マイケル ステイガーワルド ,  グレン ディヴィッド ウィルク
Applicant, Patent owner： アギア システムズ ガーディアン コーポレーション
Agent (1)： 岡部 正夫 (外11名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001247517
Publication number (International publication number)：2002158224
Application date： Aug. 17, 2001
Publication date： May. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板上に酸化金属またはケイ酸金属ゲート誘電体層を形成するための方法を提供する。【解決手段】 適当に処理された基板がチャンバ内に設置される。有機前駆物質ガスがチャンバ内に流入する。その後で、無機前駆物質ガスが、チャンバ内に流入する。有機前駆物質は、基板上に誘電体層を形成するために、自分自身と、無機前駆物質および基板との間の反応に対して、触媒としての働きをする。

Claim (excerpt)：

デバイスを製造するためのプロセスであって、半導体基板を供給するステップと、チャンバ内に前記基板を置くことにより前記シリコン基板上に誘電体層を形成するステップと、前記チャンバ内に有機前駆物質ガスと、無機前駆物質ガスとを導入するステップとを含み、前記有機前駆物質ガスが、その上に誘電体層を形成するために、前記無機前駆物質ガスと前記有機前駆物質ガスと基板との間の反応に対して、触媒としての働きをするプロセス。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/42 ,  H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/42 ,  H01L 29/78 301 G

F-Term (28)：

4K030AA06 ,  4K030AA24 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030DA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BE03 ,  5F058BF17 ,  5F058BF25 ,  5F058BF27 ,  5F058BF38 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE01 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140CB04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 多孔質膜の形成方法及びその形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-125568   Applicant：松下電器産業株式会社
• アルミナ膜形成方法およびそれを用いた薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-226178   Applicant：富士通株式会社