磁界センサ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007326108
Publication number (International publication number)：2009148306
Application date： Dec. 18, 2007
Publication date： Jul. 09, 2009
Summary：

【課題】室温で動作する薄膜磁界センサにより心磁界を計測する手段を提供する。【解決手段】誘電体基板をミアンダ型導体と地導体ではさんだ構造の伝送線路と、ミアンダ型導体に電気的絶縁層を介して配置した軟磁性薄膜と、該軟磁性薄膜へバイアス磁界を印加し心臓近傍の体表面に配置するバイアスコイルと、DMTD法による位相差計測回路もしくは時間差計測回路により構成される磁界センサを組み合わせることにより心磁界を計測できる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

誘電体基板をミアンダ型導体と地導体ではさんだ構造の伝送線路と、ミアンダ型導体に電気的絶縁層を介して配置した軟磁性薄膜と、該軟磁性薄膜へバイアス磁界を印加し心臓近傍の体表面に配置するバイアスコイルと、DMTD法による位相差計測回路もしくは時間差計測回路により構成されることを特徴とする磁界センサ。

IPC (3)：

A61B 5/05 , G01R 33/02 , G01N 27/72

FI (3)：

A61B5/05 A , G01R33/02 D , G01N27/72

F-Term (17)：

2G017AA10 , 2G017AD46 , 2G017AD47 , 2G017AD55 , 2G017AD62 , 2G017AD63 , 2G017BA05 , 2G017CB02 , 2G053AB01 , 2G053BA08 , 2G053BC02 , 2G053BC03 , 2G053BC14 , 2G053CB25 , 4C027AA10 , 4C027CC00 , 4C027EE01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

。しかし従来のミアンダ型磁気インピーダンスセンサは磁性薄膜へ直接キャリア電流を通電する構造であり、高抵抗で、共振しやすい特徴から、ノイズが増大しやすく、高いSN比を得ることは困難であった。また直線状伝送線路型センサとDual Mixer Time Difference法(DMTD法)とを組み合わせることによりセンサの磁界感度が10-12 T/Hz1/2台の分解能に相当することを示した
磁界センサユニット
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-324855 Applicant：国立大学法人東北大学
、

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