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J-GLOBAL ID：200903052988285191

シリコン窒化膜のエッチング方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： 西沢 厚
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999362810
Publication number (International publication number)：2001176842
Application date： Dec. 21, 1999
Publication date： Jun. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】 銅配線上のシリコン窒化膜をエッチング除去する際に、銅フッ化物の生成を抑制したエッチング方法を提供する。【解決手段】 銅の上に配されたシリコン窒化膜をフルオロカーボン系ガス及び不活性ガスとを含む混合ガスを反応ガスとしてドライエッチングするに際し、フルオロカーボン系ガスがCF4とCHF3とを3:7〜0:1の流量比、或いはCF4とCH2F2とを2.5:1〜0:1の流量比で含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

銅の上に配されたシリコン窒化膜をフルオロカーボン系ガス及び不活性ガスとを含む混合ガスを反応ガスとしてドライエッチングするに際し、前記フルオロカーボン系ガスが、CF4とCHF3とを3:7〜0:1の流量比で含有することを特徴とするシリコン窒化膜エッチング方法。

F-Term (14)：

5F004AA08 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DB04 ,  5F004DB05 ,  5F004DB06 ,  5F004DB07 ,  5F004DB25 ,  5F004EA23 ,  5F004EB03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-019244   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-113422   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開昭60-115231