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J-GLOBAL ID：200903053000535399

発光素子及びその製造方法

Inventor： 古 川 千 里 ,  石 川 正 行 ,  菅 原 秀 人 ,  磯 本 建 次
Applicant, Patent owner： 東芝電子エンジニアリング株式会社 ,  株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997104804
Publication number (International publication number)：1998041549
Application date： Apr. 22, 1997
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 従来の窒化ガリウム系化合物半導体を用いた半導体デバイスで、活性層下の高濃度N型層の結晶性を向上させるために、アンドープの単結晶GaN層を形成することによるスループットの低下、および成長層の劣化を解消する。【解決手段】 発光素子は、基板11上に形成されたN型の窒化ガリウム系化合物半導体層12〜14と、このN型の窒化ガリウム系化合物半導体層上に形成されたP型の窒化ガリウム系化合物半導体層16とを有し、N型の窒化ガリウム系化合物半導体層は、不純物濃度が膜厚に応じて基板側から増加する領域13を有する。また、その製造方法は、反応室内にて、基板上に第一窒化ガリウム系化合物半導体層12を形成する工程と、第一窒化ガリウム系化合物半導体層表面上に前記ドーピングガスとしてシランを導入し、N型不純物がドープされた第二N型窒化ガリウム系化合物半導体層13を反応室内に導入するシランの流入量を変化させることにより、その不純物濃度を基板側から増加させて形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたN型の窒化ガリウム系化合物半導体層と、前記N型の窒化ガリウム系化合物半導体層上に形成されたP型の窒化ガリウム系化合物半導体層とを有する発光素子において、前記N型の窒化ガリウム系化合物半導体層は、不純物濃度が膜厚に応じて前記基板側から増加する領域を有することを特徴とする発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-154708   Applicant：日亜化学工業株式会社