窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994154708
Publication number (International publication number)：1996023124
Application date： Jul. 06, 1994
Publication date： Jan. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】活性層より均一な発光を得て、素子の光度、出力を向上させ、また発光素子のVfをさらに低下させて、発光効率を向上させる。【構成】少なくともn型層が活性層と基板との間に形成された構造を備える窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記n型層は基板側に形成された第一のn型層3と、その第一のn型層3に接して活性層5側に形成されて、第一のn型層3よりも電子キャリア濃度が大きい第二のn型層33とを含む。

Claim (excerpt)：

少なくともn型層が活性層と基板との間に形成された構造を備える窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記n型層は基板側に形成された第一のn型層と、その第一のn型層に接して活性層側に形成されて、第一のn型層よりも電子キャリア濃度が大きい第二のn型層とを含むことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-203084 Applicant：日本電信電話株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-300527 Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-313977 Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所

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