半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992329912
Publication number (International publication number)：1994163521
Application date： Nov. 17, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】層間絶縁膜からの水分をブロッキングして、半導体素子に対してホットキャリア劣化を与えるおそれのない半導体装置の製造方法を提供する。【構成】層間絶縁膜7として、点欠陥を内在し、かつシリコンと水素との結合基を含む下層側の絶縁膜8を形成すると共に、下層側の絶縁膜8上にあって、塗布法,化学気相反応法などによって上層側の絶縁膜9を形成するか、あるいは、絶縁膜9を中間層側として、この中間層側の絶縁膜9から水分を脱離させながら上層側の絶縁膜10を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体装置における層間絶縁膜の形成工程を含む製造方法であって、前記層間絶縁膜として、点欠陥を内在し、かつシリコンと水素との結合基を含む下層側の絶縁膜を形成すると共に、この下層側の絶縁膜上に塗布法,化学気相反応法などによって上層側の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭62-277750
特開平3-261144
特開昭62-013032

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