半導体記憶装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992071136
Publication number (International publication number)：1993274875
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】電源電圧が低い場合でも、ワード線の電圧の立上がり速度を速くすることが可能な半導体記憶装置を得ることである。【構成】ワードドライバ7aに含まれる各ドライバ回路71は、トランスファトランジスタTR1およびドライバトランジスタTR2を含む。トランスファトランジスタTR1のゲートには、アクティイブ期間に、トランスファトランジスタTR1のしきい値電圧よりも低い所定の電圧を電源電圧に加えた電圧が与えられる。

Claim (excerpt)：

ワード線と、前記ワード線を選択するための選択信号を発生する選択手段と、前記選択信号に応答して前記ワード線を駆動する駆動手段とを備え、前記駆動手段は、電源電圧を受けるゲートを有し、前記選択信号に応答する電圧を伝達するためのトランスファトランジスタと、前記トランスファトランジスタにより伝達された電圧を受けるゲートを有し、前記ワード線を所定の電圧に充電するためのドライバトランジスタとを含み、アクティブ時に、前記トランスファトランジスタのゲートに与えられる電圧を、前記トランスファトランジスタのしきい値電圧よりも低い所定の電圧を前記電源電圧に加えた電圧に、昇圧する昇圧手段をさらに備えた、半導体記憶装置。

IPC (2)：

G11C 11/407 , G11C 11/413

FI (2)：

G11C 11/34 354 D , G11C 11/34 301 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平1-094591
半導体メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-001015 Applicant：日本電気株式会社
特開昭62-178013

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