太陽電池の製造方法及び太陽電池並びに半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：曾我道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997142406
Publication number (International publication number)：1998233518
Application date： May. 30, 1997
Publication date： Sep. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】 pn接合の電気的な分離を簡便な方法で実現でき、製造コスト及び生産性を大幅に改善できる構造の太陽電池の製造方法及び太陽電池、並びに窒化シリコン膜または酸化チタン膜を基板表面に有する構造体で、金属ペースト材料を用いた場合の新規な電極形成方法を有する半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】 pn接合の電気的な分離を、pn接合のn型拡散層101上にシリコンを溶融せしめる性質を有したガラスを主成分とするガラスペースト104を設けて焼成することにより、ガラスペースト104によりn型拡散層101を浸食させ、アルミ銀ペーストでなるp電極103下のn型拡散層101にアルミを拡散させてp型に反転したp型反転層105を形成し、pn接合の電気的分離を実現する。また、絶縁膜上に金属ペースト材料を設けて焼成することで絶縁膜を貫通し半導体基板と電気的な接触を行えるようにする。

Claim (excerpt)：

発電層となるシリコン層と該シリコン層の表面もしくは表面及び裏面の両面あるいはエッジを含む全面に形成された上記シリコン層とは反対導電型の薄膜層からなるpn接合を有するシリコン太陽電池の製造方法において、上記pn接合上にシリコンを溶融せしめる性質を有したガラスを主成分とする材料を設けて焼成することにより上記pn接合の電気的分離を行う工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

太陽電池の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-238095 Applicant：三洋電機株式会社
特開平4-256374
光電変換素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-203158 Applicant：シヤープ株式会社

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