Pat
J-GLOBAL ID：200903053040061985

パターン形成方法、露光装置、及び半導体装置

Inventor：
中 杉 哲 郎

About 中 杉 哲 郎


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996041957
Publication number (International publication number)：1997237745
Application date： Feb. 28, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：
【要約】【課題】 化学増幅型ポジレジストを用いるパターン形成方法において、露光装置の改造や設備、もしくは工程数増加を招くことない簡易な方法によって、パターン寸法精度の劣化を防止する方法の提供。【解決手段】 レジスト基板を露光するにあたり、露光前後の放置による感度変動を補正する、化学増幅型ポジレジストを用いるパターン形成方法ならびにそれを利用したレジスト基板露光装置。
Claim (excerpt)：
化学増幅型ポジレジストを用いるパターン形成方法において、複数のレジスト基板を露光するにあたり、下記の(1)〜(4)の工程を含むことを特徴とする、パターン形成方法。(1)レジスト基板がパターン形成過程において放置される各雰囲気下での感度変化を求め、(2)該レジストが塗布された被露光基板の露光前後の大気中放置および/または真空中放置時間を測定または決定し、、(3)(1)において求められた感度変化と(2)において測定または決定された各放置時間に基づいて最適な露光量を決定し、、(4)該決定された露光量にて被露光基板を露光する。
IPC (3)：
H01L 21/027 ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 7/20 503
FI (6)：
H01L 21/30 502 G ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 7/20 503 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 541 M ,  H01L 21/30 541 P
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM