パターン形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小鍜治明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992288529
Publication number (International publication number)：1994140299
Application date： Oct. 27, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】化学増幅レジストの発生した酸の失活を防止して形状のよいレジストパターンを形成する。【構成】基板1上に、エネルギー線により酸を発生する化合物と酸によりアルカリ可溶性となる樹脂を含むレジスト2を形成する工程と、パターン露光から現像までをガス不純物のない雰囲気中でを行う工程と、前記レジスト2をアルカリ現像してレジストパターン2Aを形成する工程とを備えたことを特徴とするパターン形成方法を提供する。この方法により、化学増幅レジストの発生した酸の失活を防止することにより、形状のよいパターン形成が実現でき、工業的に歩留りのよいデバイス製造につながる。

Claim (excerpt)：

基板上に、エネルギー線により酸を発生する化合物と酸によりアルカリ可溶性となる樹脂を含むレジストを形成する工程と、パターン露光から現像までをガス状不純物のない雰囲気中でを行う工程と、前記レジストをアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程とを備えたことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521 , G03F 7/38 511

FI (2)：

H01L 21/30 301 R , H01L 21/30 361 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平3-156914
特開平4-221814
特開平3-116819

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