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J-GLOBAL ID：200903053043524544

分光エリプソメータを用いた薄膜計測方法

Inventor： ナバトバーガバイン,ナタリア ,  和才 容子
Applicant, Patent owner： 株式会社堀場ジョバンイボン ,  株式会社堀場製作所
Agent (1)： 井ノ口 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001152849
Publication number (International publication number)：2002340528
Application date： May. 22, 2001
Publication date： Nov. 27, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】薄膜構造および誘電率の波長依存性を精度よく正確に決定する、分光エリプソメータを用いた薄膜計測方法を提供する。【解決手段】ΨE ,ΔE スペクトル測定データ化ステップ10,20は、計測対象の基板表面の薄膜を、入射光の波長を変えて各波長λi ごとの入射光と反射光の偏光の変化である測定スペクトルΨE ( λi )とΔE ( λi ) を得る。ΨMk,ΔMkモデリングスペクトル算出ステップ21,22は、前記基板の(N0 (n0,k0 ))、第1層目の(d1,N1 (n1,k1 ))、第j層目の(dj , Nj (nj,kj ))を分散式を用いて仮定し、さらに公称入射角(φ0 )の近傍のφk を関数とする複数のモデルをたて、ここからモデリングスペクトルΨMk( λi ) とΔMk( λi ) を得る。比較評価ステップ23,24は、前記ΨE ,ΔE スペクトルと前記ΨMk, ΔMkモデリングスペクトルを比較し、評価基準に達した構造を測定結果と決定する。

Claim (excerpt)：

分光エリプソメータを用いた計測対象の基板表面の薄膜計測方法において、計測対象の基板表面の薄膜を、入射光の波長を変えて各波長λi ごとの入射光と反射光の偏光の変化である測定スペクトルΨE ( λi ) とΔE ( λi ) を得るΨE ,ΔE スペクトル測定ステップと、前記基板の(N0 (n0,k0 ))、第1層目の(d1,N1 (n1,k1 ))、第j層目の(dj,Nj (nj,kj ))を仮定してモデルを決定し、分散式を用いてモデリングスペクトルΨM ( λi ) とΔM ( λi ) を得るΨM,ΔM モデリングスペクトル算出ステップと、前記ΨE ,ΔE スペクトルと前記ΨM,ΔM モデリングスペクトルを比較し、評価基準に達した前記ΨM,ΔM の構造を測定結果と決定する比較評価ステップと、前記モデルが前記評価基準に合致しないときは、次の修正モデルを選定し、前記ΨM,ΔM モデリングスペクトル算出ステップを行い、前記比較評価ステップを行う修正ステップとを含む分光エリプソメータを用いた薄膜計測方法。

IPC (5)：

G01B 11/06 ,  G01J 4/04 ,  G01N 21/21 ,  G01N 21/41 ,  G01N 21/45

FI (5)：

G01B 11/06 Z ,  G01J 4/04 Z ,  G01N 21/21 Z ,  G01N 21/41 Z ,  G01N 21/45 A

F-Term (24)：

2F065AA30 ,  2F065BB17 ,  2F065FF00 ,  2F065GG03 ,  2F065HH12 ,  2F065JJ08 ,  2F065LL00 ,  2F065LL02 ,  2F065LL33 ,  2F065PP00 ,  2F065UU05 ,  2G059AA02 ,  2G059AA03 ,  2G059BB10 ,  2G059EE02 ,  2G059EE12 ,  2G059GG04 ,  2G059GG06 ,  2G059GG10 ,  2G059HH02 ,  2G059JJ17 ,  2G059JJ19 ,  2G059MM01 ,  2G059MM02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平1-123135
  
• プロセス管理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-300947   Applicant：松下電器産業株式会社