非導電性多孔質体の総表面の処理方法、総表面の処理装置、及び新規の非導電性多孔質改質体

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：森田憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997121722
Publication number (International publication number)：1998053657
Application date： Apr. 24, 1997
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】多孔質体の外側表面だけでなく、多孔質内部の空隙表面を処理することができ、しかも、スパーク放電等による被処理体の損傷が起こりにくく、任意の種類の気体を利用することができ、連続的に処理することが可能な、放電による非導電性多孔質体の総表面を処理する手段を提供する。【解決手段】それぞれの対向表面側に誘電体層41,42を設けて対向して配置した一対の電極21,22の間に、前記電極とはそれぞれ直接に接触しないが前記誘導体層のそれぞれと外側表面が直接に接触するように非導電性多孔質体11を配置し、周波数が0.1KHz〜100KHzである低周波交流電圧を前記両電極間に印加して、両電極間に挟まれた前記非導電性多孔質体の内部空隙で放電を発生させる。

Claim (excerpt)：

それぞれの対向表面側に誘電体層を設けて対向して配置した一対の電極の間に、前記の一対の電極とはそれぞれ直接に接触しないが前記誘導体層のそれぞれと外側表面が直接に接触するように非導電性多孔質体を配置し、周波数が0.1KHz〜100KHzである低周波交流電圧を前記両電極間に印加して、両電極間に挟まれた前記非導電性多孔質体の内部空隙で放電を発生させることを特徴とする、非導電性多孔質体の総表面の処理方法。

IPC (4)：

C08J 7/00 303 , C08J 7/00 , B01J 19/08 , C08J 7/12

FI (4)：

C08J 7/00 303 , C08J 7/00 A , B01J 19/08 C , C08J 7/12 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

多孔体の改質処理方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-143105 Applicant：森勇藏, 日東電工株式会社

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