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J-GLOBAL ID：200903053096623293

不揮発性メモリセル内のマルチステート材料と共に使用するスタック/トレンチダイオード

Inventor： ゴンザレス、フェルナンド ,  トゥーリ、レイ
Applicant, Patent owner： ミクロン テクノロジー、インコーポレイテッド
Agent (1)： 中島 淳 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997501478
Publication number (International publication number)：1998511814
Application date： Jun. 04, 1996
Publication date： Nov. 10, 1998
Summary：

【要約】本発明は、マルチステートメモリセル内の可変抵抗エレメントに大量の電流を送るのに使用する、垂直に配置されたダイオードを提供する。垂直ダイオードは、丈の高い酸化物スタックの上部から単結晶シリコンの深いトレンチ内へ下方向に延びるダイオードコンテナ(20)内に配置される。ダイオードは、ダイオードコンテナ内に垂直に配置される単結晶及び/又は多結晶シリコン層(22、24)の組み合わせから形成される。メモリエレメントはダイオードの上に形成されてメモリセルが完成する。ダイオードの垂直構成は、プログラミングに必要とされるような、メモリエレメントを介する非常に大量の電流の流れを生成することができる大きなダイオード表面領域を提供する。このようにして、非常に効率的なダイオードを生成し、このような大きなダイオードに通常関連する基板表面空間を必要とせずに大きな電流を送ることができる。

Claim (excerpt)：

第1ノード及び第2ノードを有するカルコゲニドベースのメモリセルであって、 シリコン基体を含み、 前記シリコン基体の上に配置される酸化物層を含み、 前記酸化物層の上部表面から前記シリコン基体に形成されるトレンチ内へ延びるダイオードコンテナを含み、前記第1ノードは前記コンテナの周縁と電気的に通じるように配置されており、 前記コンテナの中に配置されるダイオードを含み、 前記ダイオードと前記メモリセルの前記第2ノードとの間で電気的に結合されるカルコゲニドメモリエレメントを含む、 メモリセル。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 電気的消去可能型相転移メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-006940   Applicant：エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド