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J-GLOBAL ID：200903053109720900

炭素ナノチューブの製造方法

Inventor： 張 震 ,  鄭 ▲日▼在
Applicant, Patent owner： 張 震 ,  株式会社日進ナノテック
Agent (1)： 服部 雅紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000120448
Publication number (International publication number)：2000319783
Application date： Apr. 21, 2000
Publication date： Nov. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高密度プラズマを用いて黒鉛や炭素塊りが高度精製された炭素ナノチューブを容易に成長させる炭素ナノチューブの製造方法を提供する。【解決手段】 炭素ナノチューブは1011cm-3以上の高密度プラズマ化学気相蒸着法を用いて基板11上に成長され、蒸着プラズマを用いて基板11上に所定の厚さを有する炭素ナノチューブ膜を成長させる段階と蝕刻プラズマを用いて前記炭素ナノチューブ膜を精製する段階とを繰返して行い、蝕刻プラズマを用いる段階ではソースガスとしてハロゲン元素を含むガス、具体的にCF4ガスを使用する。

Claim (excerpt)：

1011cm-3以上の高密度プラズマ化学気相蒸着法を用いて基板上に炭素ナノチューブ膜を成長させることを特徴とする炭素ナノチューブの製造方法。

IPC (2)：

C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101

FI (2)：

C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• フラーレン及びカーボンナノチューブの合成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-211662   Applicant：日本電気株式会社