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J-GLOBAL ID：200903053118693266

表面弾性波素子

Inventor： 樋口 天光 ,  岩下 節也 ,  宮澤 弘
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000002565
Publication number (International publication number)：2001196892
Application date： Jan. 11, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 KNbO<SB>3</SB>結晶基板はk<SP>2</SP>に優れるが、音速は同じペロブスカイト型酸化物であるSrTiO<SB>3</SB>やCaTiO<SB>3</SB>に比べて遅く、温度特性はSiO<SB>2</SB>に比べて劣っており、それらを両立させることは不可能であった。またモノリシック化において重要であるSi基板上で、Y-XKNbO<SB>3</SB>結晶基板に相当する擬立方晶(100)方向にエピタキシャルさせることは不可能であった。【解決手段】 (100)Si基板1上に(100)配向したNaCl型酸化物MOバッファ層2を介して擬立方晶(100)配向K<SB>1-x</SB>Na<SB>x</SB>Nb<SB>1-y</SB>Ta<SB>y</SB>O<SB>3</SB>(0≦x≦1、0≦y<1)圧電薄膜3をエピタキシャル成長させることにより、高k<SP>2</SP>化、高音速化、零温度特性を具有する表面弾性波素子を実現する。

Claim (excerpt)：

(100)シリコン基板と、前記シリコン基板上に(100)配向したNaCl型酸化物MO(M=Mg、Ca、Sr、Ba)をバッファ層とする擬立方晶(100)配向のペロブスカイト型圧電薄膜ABO3、および前記圧電薄膜ABO3の直上もしくは直下にインターディジタル型電極を形成することを特徴とする表面弾性波素子。

IPC (2)：

H03H 9/25 ,  H03H 9/145

FI (2)：

H03H 9/25 C ,  H03H 9/145 C

F-Term (7)：

5J097AA06 ,  5J097AA22 ,  5J097FF02 ,  5J097FF05 ,  5J097HA02 ,  5J097HA03 ,  5J097KK09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 弾性表面波素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-292646   Applicant：山之内和彦, ヤマハ株式会社