層間絶縁膜の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997284781
Publication number (International publication number)：1999087342
Application date： Oct. 17, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】比誘電率が1.5〜2.5程度の低誘電率有機膜上に、通常のCVD法によって酸化シリコン膜を形成したのでは、その酸化シリコン膜が剥がれを起こす。【解決手段】基体10上に形成した低誘電率有機膜15上に、化学的気相成長によってシリコン系絶縁膜(酸化シリコン膜16)を形成する層間絶縁膜の形成方法であって、この化学的気相成長の雰囲気を還元性雰囲気にして、その時の成膜表面の温度を酸化シリコン膜16が成長する温度以上350°C以下に設定し、その際に化学的気相成長の雰囲気に供給される原料ガスにはシラン系ガスを用い、シラン系ガスを酸化するためのガスには一酸化二窒素を用いる。

Claim (excerpt)：

基体上に形成した低誘電率有機膜上に化学的気相成長によってシリコン系絶縁膜を成膜する層間絶縁膜の形成方法において、前記化学的気相成長の雰囲気は還元性雰囲気であることを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/316 X , H01L 21/90 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-030667 Applicant：日本電気株式会社
半導体素子・集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-044101 Applicant：旭硝子株式会社

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