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J-GLOBAL ID：200903053231068289

高分子電解質、プロトン伝導膜および膜-電極構造体

Inventor：
大月 敏敬

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金岡 長之

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井口 勝

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満田 直樹

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相馬 浩

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Applicant, Patent owner：
本田技研工業株式会社

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JSR株式会社

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Agent (4)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  高畑 ちより ,  鈴木 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004015864
Publication number (International publication number)：2004256797
Application date： Jan. 23, 2004
Publication date： Sep. 16, 2004
Summary：
【課題】耐熱水性、ラジカル耐性が改良された高分子電解質、該高分子電解質からなるプロトン伝導膜および膜-電極構造体を提供すること。 【解決手段】本発明に係る高分子電解質は、ポリエーテル、ポリケトン、ポリエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリベンゾイミダゾール、ポリベンゾチアゾール、ポリベンゾオキサゾール等から選ばれる少なくとも1種のポリマーからなり、該ポリマーが、芳香環および複素環、またはこれらのいずれか一方を繰り返し構造単位に有し、かつ下記一般式(1)で表される構造を繰り返し構造単位として有することを特徴とする。【化1】(式中、Xは単結合、電子吸引基または電子供与基、Rは単結合、-(CH2)q-または-(CF2)q-、qは1〜10、mは0〜10、kは0〜5、lは0〜4、k+l≧1)。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
ポリエーテル、ポリケトン、ポリエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリベンゾイミダゾール、ポリベンゾチアゾール、ポリベンゾオキサゾール、ポリフェニレンスルフィド、ポリヒダントイン、ポリキノキサリン、ポリキノリン、ポリオキサジアゾールおよびポリパラバン酸から選ばれる少なくとも1種のポリマーからなる高分子電解質であって、 該ポリマーが、芳香環および複素環、またはこれらのいずれか一方を繰り返し構造単位に有し、かつ下記一般式(1)で表される構造を繰り返し構造単位として有することを特徴とする高分子電解質。
IPC (5)：
C08G85/00 ,  C25B9/10 ,  C25B13/08 ,  H01B1/06 ,  H01M8/02
FI (5)：
C08G85/00 ,  C25B13/08 ,  H01B1/06 A ,  H01M8/02 P ,  C25B11/20
F-Term (19)：
4J031AA41 ,  4J031AB04 ,  4J031BD07 ,  4J031BD08 ,  4J031BD23 ,  4J031CA06 ,  4J031CA09 ,  4J031CD25 ,  4K011BA04 ,  4K011BA07 ,  4K011DA01 ,  4K011DA03 ,  4K011DA11 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5H026AA06 ,  5H026CX05 ,  5H026EE18 ,  5H026HH00
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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