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J-GLOBAL ID：200903053322110270

単結晶育成方法

Inventor：
藤原 千恵子

About 藤原 千恵子

, 
遠藤 和光

About 遠藤 和光


Applicant, Patent owner：
NECトーキン株式会社

About NECトーキン株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007199189
Publication number (International publication number)：2009035434
Application date： Jul. 31, 2007
Publication date： Feb. 19, 2009
Summary：
【課題】 良好な品質の圧電単結晶(La3Ga5SiO14の単結晶、Sr3Ga4Ge2O14の単結晶)の育成を、マイクロ引き下げ法により十分な速度で実施する。【解決手段】 坩堝2の底面のダイ部9の直下の位置と、そこから10mm下方の位置との温度差をΔT(°C)と定め、また育成時の種結晶4の引き下げ速度をV(mm/min)と定める。このとき、温度差ΔTが10°C≦ΔT≦25°Cの場合に、引き下げ速度Vが0.05mm/min≦V≦1.5mm/minの範囲の条件において前記の圧電単結晶を育成するか、もしくは温度差ΔTが25°C≦ΔT≦50°Cの場合に、引き下げ速度Vが0.05mm/min≦V≦0.3mm/minの範囲の条件において前記の圧電単結晶を育成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
ランガサイト構造を有する酸化物単結晶のマイクロ引き下げ法による育成方法において、坩堝底面外側の中心部の直下での温度T1(°C)と、前記坩堝底面外側の中心部から鉛直方向に下方10mmの位置における温度T2(°C)との温度差(T1-T2)をΔT(°C)とするとともに、種結晶の引き下げ速度をV(mm/min)として、 前記温度差ΔTの値に基づいて、前記引き下げ速度Vを特定の範囲に規定することを特徴とする単結晶育成方法。
IPC (5)：
C30B 29/34 ,  C30B 15/08 ,  C30B 29/32 ,  H01L 41/24 ,  H01L 41/18
FI (5)：
C30B29/34 Z ,  C30B15/08 ,  C30B29/32 G ,  H01L41/22 A ,  H01L41/18 101A
F-Term (12)：
4G077AA02 ,  4G077BC44 ,  4G077BD15 ,  4G077CF01 ,  4G077CF02 ,  4G077EA01 ,  4G077EH06 ,  4G077HA04 ,  4G077HA11 ,  4G077PC02 ,  4G077PF53 ,  4G077PF55
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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