半導体レーザ素子、投受光ユニットおよび光ピックアップ装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福島祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000046448
Publication number (International publication number)：2000340894
Application date： Feb. 23, 2000
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】低雑音特性が向上され、動作電流が低減されるとともに、温度特性および信頼性が向上された半導体レーザ素子、それを備えた投受光ユニットおよび光ピックアップ装置を提供することである。【解決手段】 MQW活性層7中に不純物としてSi、SeまたはZnが5×1015〜1×1019cm-3の範囲内で添加されている。MQW活性層7中の量子井戸層71の合計の厚みは20nm以上80nm以下に設定される。MQW活性層7の量子井戸層71の数は4以上7以下である。

Claim (excerpt)：

活性層中にシリコン、セレン、亜鉛、ベリリウム、硫黄または炭素が不純物として5×1015cm-3以上1×1019cm-3以下の濃度に添加されたことを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (3)：

H01S 5/343 , G11B 7/125 , G11B 7/135

FI (3)：

H01S 5/343 , G11B 7/125 A , G11B 7/135 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平2-078290
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-346629 Applicant：三洋電機株式会社
特開昭63-222490

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