磁気抵抗効果素子及び磁気情報検出方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996069581
Publication number (International publication number)：1997260743
Application date： Mar. 26, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】非破壊読み出し若しくは多値記録が可能な磁気抵抗効果素子の提供を目的とする。【解決手段】トンネル絶縁膜を介して3層の強磁性導電層が形成され、中間の強磁性導電層の保磁力を小とし、これを選択的に反転させたときのトンネル電流で、外側の強磁性導電層の磁化状態を検出する。

Claim (excerpt)：

第1の強磁性導電層と、第2の強磁性導電層と、第1及び第2の強磁性導電層の間に介在する第1のトンネル絶縁層と、第3の強磁性導電層と、第2及び第3の強磁性導電層の間に介在する第2のトンネル絶縁層とを具備した磁性積層体を有し、第1乃至第3の強磁性導電層の内の一層の保磁力が他の層の保磁力よりも小さいことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01F 10/08

FI (4)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/08 , G01R 33/06 R

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

磁気センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-062201 Applicant：富士通株式会社
特開平3-012092
磁気抵抗記憶素子、アレイおよび装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-022669 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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Cited by examiner (1)

磁気センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-062201 Applicant：富士通株式会社

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