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J-GLOBAL ID：200903053497027278
薄膜製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000373610
Publication number (International publication number)：2002175993
Application date： Dec. 07, 2000
Publication date： Jun. 21, 2002
Summary：
【要約】【課題】 成膜される薄膜の膜質を良好に維持しながら、成膜速度の向上を図ることができる。【解決手段】 反応ガスと不活性ガスとの混合ガスからなる成膜用ガスをプラズマ発生領域に供給する際に、プラズマ発生領域の体積V(cm3)、プラズマ発生領域に供給される成膜用ガスのガス流量Q(cm3/min)、放電電極に供給される電力密度Wd(w/cm2)の各値を、7.5×10-4(w/cm2・min)≦Wd・V/Q≦30×10-4(w/cm2・min)となる関係を満たすように設定する。
Claim (excerpt)：
放電電極に電力を供給することにより成膜用ガスに基づくプラズマを発生させ、このプラズマに基づく反応種により基板上に薄膜を形成する薄膜製造方法であって、前記成膜用ガスは、反応ガスと不活性ガスとの混合ガスからなり、該成膜用ガスを前記プラズマの発生領域に供給する際に、前記プラズマ発生領域の体積V(cm3)、前記プラズマ発生領域に供給される前記成膜用ガスのガス流量Q(cm3/min)、前記放電電極に供給される電力密度Wd(w/cm2)の各値を、7.5×10-4(w/cm2・min)≦Wd・V/Q≦30×10-4(w/cm2・min)となる関係を満たすように設定することを特徴とする薄膜製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (23)：
4K030AA06
, 4K030AA17
, 4K030BA29
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030FA03
, 4K030HA16
, 4K030JA05
, 4K030JA09
, 4K030JA16
, 5F045AA08
, 5F045AB04
, 5F045AC01
, 5F045AC16
, 5F045AC17
, 5F045AE19
, 5F045AE21
, 5F045BB09
, 5F045BB16
, 5F045CA13
, 5F045DA65
, 5F045EH14
, 5F045EH20
