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J-GLOBAL ID：200903002969164025

結晶性半導体膜の形成方法

Inventor： 宮坂 光敏 ,  カム ロー ,  柿本 政雄 ,  ロバート ロバートソン
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社 ,  アプライドコマツテクノロジー株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996005741
Publication number (International publication number)：1996339965
Application date： Jan. 17, 1996
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：

【要約】【課題】結晶性半導体膜を簡単な低温工程で製造し、且つ品質を高める事。【解決手段】原料ガスのシランと希釈ガスのアルゴンを用いたPECVD法で結晶性の高い混晶質半導体膜を成膜した後、レーザー照射等で結晶性を高める。

Claim (excerpt)：

少なくとも表面の一部が絶縁性物質である基板の該絶縁性物質上に結晶性半導体膜を形成する方法に於いて、該半導体膜の構成元素を含有する化学物質を原料気体とし、更に追加気体としてアルゴン(Ar)を用いてプラズマ化学気相堆積法(PECVD法)にて半導体膜を堆積する第一工程と、該半導体膜の結晶性を高める第二工程とを含む事を特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。

IPC (7)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/06 504 ,  C30B 33/04 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (7)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/06 504 K ,  C30B 33/04 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-084716
  
• 薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-227638   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体材料およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-080800   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-043673   Applicant：株式会社高度映像技術研究所