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J-GLOBAL ID：200903053507465457
半田バンプの製造方法及び電子部品
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995024547
Publication number (International publication number)：1996203910
Application date： Jan. 20, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：
【要約】【目的】本発明は、半田バンプの製造方法及び電子部品に関し、半田を整形する際の半田の染み出しを有効に回避する。【構成】本発明は、半田バンプの形成位置を囲むように、酸化膜13を形成することにより、半田バンプ形成位置の周囲について半田ぬれ性を低減する。
Claim (excerpt)：
半田バンプを形成する金属部分の表面に酸化膜を形成した後、前記酸化膜を局所的に除去することにより、半田バンプの形成位置を囲むように、前記金属部分の表面に酸化膜を形成し、前記半田バンプの形成位置に半田を付着し、前記半田を加熱溶融して整形して半田バンプを形成することを特徴とする半田バンプの製造方法。
FI (3)：
H01L 21/92 604 A
, H01L 21/92 604 R
, H01L 21/92 604 Z
Cited by examiner (7)
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