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J-GLOBAL ID：200903053539976801

半導体レーザ及びその製造方法

Inventor：
長島 靖明

About 長島 靖明

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篠根 克典

About 篠根 克典

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菊川 知之

About 菊川 知之


Applicant, Patent owner：
アンリツ株式会社

About アンリツ株式会社


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001055109
Publication number (International publication number)：2002261390
Application date： Feb. 28, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：
【要約】【課題】 活性層25を通らない無効電流を減少させる。【解決手段】 n型半導体基板21と、n型半導体基板上に形成され、n型の第1のクラッド層24と活性層25とp型の第2のクラッド層26とからなる台形形状を有する<011>方向に沿って形成されたメサストライプ部22と、メサストライプ部の外側でかつn型半導体基板上に形成されたp型電流ブロック層29とこのp型電流ブロック層の上側に形成されたn型電流ブロック層30とからなる電流ブロック部23と、メサストライプ部の上面と電流ブロック部の上面を共通に覆うp型の第3のクラッド層31とを備えた半導体レーザにおいて、n型InP基板21は(100)結晶面を上面とされ、台形形状を有するメサストライプ部の側面27の傾斜は、(111)B結晶面が露出する特定角度θを除き、かつこの特定角度近傍の角度(θ±Δθ)に設定されている。
Claim (excerpt)：
n型半導体基板(21)と、このn型半導体基板上に形成され、n型の第1のクラッド層(23)と活性層(25)とp型の第2のクラッド層(26)とからなる台形形状を有する<011>方向に沿って形成されたメサストライプ部(22)と、このメサストライプ部の外側でかつ前記n型半導体基板上に形成されたp型電流ブロック層(29)とこのp型電流ブロック層の上側に形成されたn型電流ブロック層(30)とからなる電流ブロック部(22)と、前記メサストライプ部の上面と前記電流ブロック部の上面を共通に覆うp型の第3のクラッド層(31)とを備えた半導体レーザにおいて、前記n型半導体基板は(100)結晶面を上面とされ、前記台形形状を有する<011>方向に沿って形成されたメサストライプ部の側面の傾斜は、(111)B結晶面が露出する特定角度を除き、かつこの特定角度近傍の角度に設定されていることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2)：
H01S 5/227 ,  H01L 21/306
FI (2)：
H01S 5/227 ,  H01L 21/306 B
F-Term (16)：
5F043AA15 ,  5F043BB08 ,  5F043DD21 ,  5F043FF04 ,  5F043GG06 ,  5F073AA26 ,  5F073AA74 ,  5F073BA01 ,  5F073CA07 ,  5F073CA13 ,  5F073CB02 ,  5F073CB10 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073EA24
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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