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J-GLOBAL ID：200903053547214627

マルチ波長レーザダイオードアレイ

Inventor： デービッド ピー.ボアー ,  ロス ディー.ブリンガンス
Applicant, Patent owner： ゼロックス コーポレイション
Agent (1)： 中島 淳 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995229360
Publication number (International publication number)：1996107254
Application date： Sep. 06, 1995
Publication date： Apr. 23, 1996
Summary：

【要約】【課題】 改良されたマルチ波長ダイオードレーザアレイを提供する。【解決手段】 マルチ波長のレーザダイオードアレイが、例えば10-50nm等の数十ナノメートルの波長スパンを有して提供されており、該アレイの全波長間隔は、量子井戸活性領域のバンド・フィリング効果を介して達成される。しきい値電流密度に影響を与えるために、マルチ波長のアレイは、制御された様態で異なる量の光学損失をアレイ要素に選択的に導入することによって形成される。レーザは最小の損失を用いて長い波長で発振し、一方より大きい損失を有する要素はより多くのバンド・フィリング効果を得て、より短い波長で動作する。

Claim (excerpt)：

マルチ波長レーザダイオードアレイであって、(a)少なくとも第1及び第2の並列ダイオードレーザを含む共通の半導体基体を含み、各レーザが細長いウィング領域が側面に配置される細長いリッジ領域を含んで前記リッジ領域内又はその下にレージング領域を定め、(b)前記ウィング領域及び前記リッジ領域の下の基体内に伸長する同じ組成の活性層を含み、(c)前記ウィング領域が再成長した半導体材料から成り、前記半導体材料がリッジ領域のモード屈折率よりも低いモード屈折率を生じてSBRタイプのダイオードレーザを形成し、(d)第1レーザのリッジ領域の断面が第2レーザのリッジ領域の断面よりも大きく、第2レーザのリッジの側面に配置するウィング領域へのより大きいアウトカップリング損失のために第1レーザがより長い波長λ1 で動作し、第2レーザがより短い波長λ2 で動作する、マルチ波長レーザダイオードアレイ。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-186534   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開平1-286483