炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法。

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：奥田誠司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006175533
Publication number (International publication number)：2008004888
Application date： Jun. 26, 2006
Publication date： Jan. 10, 2008
Summary：

【課題】基底面転位欠陥の少ない炭化珪素半導体エピタキシャル基板を製造する方法を提供する。【解決手段】本発明の、炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法は、オフセット角が2°以上10°以下であり、二乗平均粗さが0.1nm以下である表面10aを有する炭化珪素単結晶基板10を用意する工程と、化学気相堆積法により、炭化珪素からなるエピタキシャル層11を前記炭化珪素単結晶基板上に成長させる工程とを包含し、前記成長したエピタキシャル層の表面の二乗平均粗さRq(nm)がエピタキシャル層11の成長速度をV(μm/h)として、Rq(nm)<0.007×V(μm/h)+0.074の関係を満足するように、前記エピタキシャル層の成長条件を設定する。【選択図】図8

Claim (excerpt)：

オフセット角が2°以上10°以下であり、二乗平均粗さが0.1nm以下である表面を有する炭化珪素単結晶基板を用意する工程と、化学気相堆積法により、炭化珪素からなるエピタキシャル層を前記炭化珪素単結晶基板上に成長させる工程と、を包含し、前記成長したエピタキシャル層の表面の二乗平均粗さRq(nm)がエピタキシャル層の成長速度をV(μm/h)として、 Rq(nm)<0.007×V(μm/h)+0.074 の関係を満足するように、前記エピタキシャル層の成長条件を設定する、炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法。

IPC (1)：

H01L 21/205

FI (1)：

H01L21/205

F-Term (8)：

5F045AA03 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AD18 , 5F045AF02 , 5F045BB12 , 5F045CA00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

米国特許第4,912,064号明細書
バイポーラ型半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-089227 Applicant：関西電力株式会社, 財団法人電力中央研究所

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