バイポーラ型半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：鈴木俊一郎 , 牧村浩次 , 鈴木亨 , 八本佳子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005089227
Publication number (International publication number)：2005311348
Application date： Mar. 25, 2005
Publication date： Nov. 04, 2005
Summary：

【課題】SiC単結晶基板からエピタキシャル層へのベーサルプレーン転位の伝播を低減し、これにより経時での順方向電圧劣化を抑制したバイポーラ型半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】通電時に電子と正孔が再結合する領域の少なくとも一部を、炭化珪素基板1の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル層2により形成したバイポーラ型半導体装置を製造するに際し、炭化珪素基板1の表面を水素エッチングで処理した後に、この処理面から炭化珪素をエピタキシャル成長させることにより前記エピタキシャル層2を形成する。炭化珪素基板1の表面を化学機械研磨で処理し、次いで水素エッチングで処理することにより、さらにエピタキシャル層へのベーサルプレーン転位の伝播を低減することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

通電時に電子と正孔が再結合する領域の少なくとも一部を、炭化珪素基板の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル層により形成したバイポーラ型半導体装置であって、前記炭化珪素基板におけるエピタキシャル成長させる表面の表面粗さRmsが0.1〜0.6nmであることを特徴とするバイポーラ型半導体装置。

IPC (2)：

H01L21/20 , H01L29/861

FI (2)：

H01L21/20 , H01L29/91 F

F-Term (11)：

5F152LL03 , 5F152LM04 , 5F152LM09 , 5F152LN03 , 5F152LN21 , 5F152MM01 , 5F152MM02 , 5F152MM07 , 5F152NN05 , 5F152NN27 , 5F152NQ02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

国際公開WO03/038876号パンフレット

Cited by examiner (9)

SiC半導体の表面モホロジー制御方法およびSiC半導体薄膜の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-084510 Applicant：富士電機株式会社
炭化珪素エピタキシャルウエハ、同ウエハの製造方法及び同ウエハ上に作製された半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-295413 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
炭化けい素半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-286795 Applicant：富士電機株式会社

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