フォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：加藤一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997365886
Publication number (International publication number)：1999186657
Application date： Dec. 22, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】活性層の垂直方向に加えて、活性層面内全方向にも自然放出光を制御する構造を備えて低闘値で低消費電力の動作を可能とするフォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザである。【解決手段】フォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザは、化合物半導体から形成されてなる垂直共振器レーザである。活性層11が周期的多層膜半導体層から形成されていることで、光共振器が活性層11の垂直方向に形成されている。活性層11を含む半導体層に二次元屈折率周期構造21、22を備えていることで、活性層11を含む半導体層面内には発光波長に対して光学的伝播禁止帯(フォトニックバンドギャップ)が形成されている。

Claim (excerpt)：

化合物半導体から形成されてなる垂直共振器レーザであって、活性層は周期的多層膜半導体層から形成されていることで、光共振器が該活性層の垂直方向に形成されていて、且つ、活性層を含む半導体層に二次元屈折率周期構造を備えていることで、活性層を含む半導体層面内には発光波長に対して光学的伝播禁止帯(フォトニックバンドギャツプ)が形成されていることを特徴とするフォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-034543 Applicant：松下電器産業株式会社
特開昭59-036988
特表平3-502747

Show all

Return to Previous Page