半導体発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996034543
Publication number (International publication number)：1997232669
Application date： Feb. 22, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】【目的】高コヒーレンスな発光ダイオード、低しきい値電流の高性能な半導体発光素子を提供する。【構成】 n-GaAs基板101上に、n-AlAsとn-AlGaAsの周期構造から成る多層反射膜ミラー102、n-(AlxGa1-x)0.5In0.5Pクラッド層103、フォトニックギャップ活性層104、p-(AlxGa1-x)0.5In0.5Pクラッド層105、p-AlAsとp-AlGaAsの周期構造から成る多層反射膜ミラー102’が積層されている。さらにミラー102’上にp型電極110、基板101の裏面にn電極111が形成されている。フォトニックギャップ結晶から成る活性層と1対の多層反射膜から成る微小共振器とを用いることによりコヒーレントな自然放出後発光素子を実現する。

Claim (excerpt)：

フォトニックギャップ結晶から成る活性層と、前記活性層からの発光を反射する1対の多層反射膜の共振器とを備えた半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

面発光レーザとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-037692 Applicant：日本電気株式会社
特開平2-125670
レーザー素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-235041 Applicant：株式会社東芝

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