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J-GLOBAL ID：200903053643102520

発光素子および発光素子の製造方法

Inventor：
豊田 達憲

About 豊田 達憲

, 
庄野 博文

About 庄野 博文

, 
永峰 和浩

About 永峰 和浩


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000153499
Publication number (International publication number)：2001313422
Application date： May. 24, 2000
Publication date： Nov. 09, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】発光素子の両面に電極を形成した窒化物半導体層を有する発光素子および発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板上にn型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層が積層されたウェハーを発光素子毎に分割する製造方法において、p型窒化物半導体層のほぼ全面にp型窒化物半導体層とオーミック接触を得るための第1金属層を形成し、金属層よりも上にウェハーの反りを防止するための反り防止層を形成するp電極形成工程と、p電極形成工程後、分割すべき発光素子の各領域にn型窒化物半導体層の少なくとも一部が露出するように、窒化物半導体層が積層された基板面と反対側の面から基板を除去する基板除去工程と、露出したn型窒化物半導体層上の少なくとも一部に接するようにn電極を形成するn電極形成工程と、p電極およびn電極が形成されたウェハーを分割すべき領域毎に分割し発光素子とする分割工程とを含む。
Claim (excerpt)：
基板上に少なくともn型窒化物半導体層とおよびp型窒化物半導体層が積層されたウェハーを発光素子毎に分割する発光素子の製造方法において、前記p型窒化物半導体層のほぼ全面にp型窒化物半導体層とオーミック接触を得るための第1金属層を形成し、前記金属層よりも上に前記ウェハーの反りを防止するための反り防止層を形成するp電極形成工程と、前記p電極形成工程後、分割すべき発光素子の各領域に前記n型窒化物半導体層の少なくとも一部が露出するように、前記窒化物半導体層が積層された基板面と反対側の面から前記基板を除去する基板除去工程と、前記露出したn型窒化物半導体層上の少なくとも一部に接するようにn電極を形成するn電極形成工程と、前記p電極および前記n電極が形成されたウェハーを分割すべき領域毎に分割し発光素子とする分割工程とを含むことを特徴とする発光素子の製造方法。
IPC (4)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/41 ,  H01S 5/042 610
FI (5)：
H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/28 301 H ,  H01S 5/042 610 ,  H01L 29/44 B
F-Term (34)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104AA09 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD53 ,  4M104DD78 ,  4M104EE05 ,  4M104EE09 ,  4M104EE18 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH20 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CA99 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073CB22 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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