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J-GLOBAL ID：200903053656115337

単電子トンネル論理素子

Inventor：
日 暮 等

About 日 暮 等


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995054762
Publication number (International publication number)：1995307453
Application date： Mar. 14, 1995
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 入力変動に対する安定出力を得ること。【構成】 それぞれ単電子トンネル接合を有するインピーダンス素子1,2を直列接続したチャネル形成回路を有する。各インピーダンス素子1,2のトンネル抵抗をR<SB>1 </SB>,R<SB>2 </SB>、接合キャパシタをC<SB>1 </SB>,C<SB>2 </SB>としたとき、R<SB>1 </SB>>R<SB>2 </SB>,C<SB>1</SB>≧C<SB>2 </SB>、又はR<SB>1 </SB><R<SB>2 </SB>,C<SB>1 </SB>≦C<SB>2 </SB>を満たすようにする。これにより、アイランド部4への蓄積電荷が入力電圧に対し、eのほぼ整数倍に量子化され、電流電圧特性がクーロン・ステアケイスを示し、方形波状のクーロン振動特性が得られ、一定の入力電圧幅に対し一定の出力電流値が得られるようになり、各入力論理レベルに対応する電圧値のマージンを広げることが可能となる。【効果】 入力変動に対して安定した出力が得られる。
Claim (excerpt)：
第1、第2の単電子トンネル接合が直列に接続されてなり、その両端にバイアス電圧が印加された二重トンネル接合部と、前記第1、第2の単電子トンネル接合の共通接続部に対して容量素子を介して接続された信号入力部とを備え、前記共通接続部に蓄えられる電荷が、前記バイアス電圧に対し、素電荷の整数倍単位で近似的に量子化されていることを特徴とする単電子トンネル論理素子。
IPC (2)：
H01L 29/06 ,  H01L 29/66
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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