Pat
J-GLOBAL ID：200903053689444395

プラズマ処理装置とこれを用いたプラズマ処理方法

Inventor：
久保田 紳治

About 久保田 紳治


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993152278
Publication number (International publication number)：1995022397
Application date： Jun. 23, 1993
Publication date： Jan. 24, 1995
Summary：
【要約】【目的】 均一なプラズマを形成することができ、プラズマ密度の制御、イオン加速の制御を独立に行うことができ、共通の装置をもって各種プラズマ処理とチャンバー内のクリーニング・モードを大気開放をすることなく行うことができるようにする。【構成】 平行平板型構成を採り、この平行平板型構成による被処理体1の載置台2とこれに対向する対向電極3すなわち陽極との間に低周波または高周波を印加する低周波または高周波印加手段4と、チャンバー5の内壁面近傍にバイアス電界及び磁力線を印加して電子をサイクロイド運動させながらチャンバー5の内壁面に沿ってリング状に回転させ、チャンバー5の内壁面の近傍で高密度プラズマを発生させる高密度プラズマ発生手段6とを有してなる。
Claim (excerpt)：
平行平板型構成を採り、該平行平板型構成による被処理体の載置台と、これに対向する対向電極との間に低周波または高周波を印加する低周波または高周波印加手段と、チャンバーの内壁面近傍にバイアス電界及び磁力線を印加して電子をサイクロイド運動させながら上記チャンバーの内壁面に沿ってリング状に回転させ、上記チャンバーの内壁面の近傍で高密度プラズマを発生させる高密度プラズマ発生手段とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01L 21/302 C ,  H01L 21/302 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 層の構造化方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-306400   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
  • 特開平2-224239
  • ドライエツチング装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-266053   Applicant：シヤープ株式会社

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM