半導体発光素子および半導体表示装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993090281
Publication number (International publication number)：1994013655
Application date： Apr. 16, 1993
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】可視光領域内で発光し、かつ基板と半導体層との間に歪みを生じることがなく、しかも半導体レーザ素子としても利用し得る半導体発光素子を提供する。【構成】 InP基板100上に形成される半導体層がZnおよびSeを含有し、CdおよびHgの内の一方または両方を含有するII-VI族化合物半導体で形成されている。この半導体は、赤色から紫色の可視光領域内の光が発振される混晶比の範囲内において、InPの格子定数とその格子定数が一致する。よって、InP基板100上に格子整合する半導体層が得られる。さらに、上記混晶比の範囲内において、十分に大きなエネルギーギャップの差が得られるように、異なる混晶比の半導体を選択することができるので、半導体レーザとして利用し得るようなクラッド層および活性層が形成され得る。

Claim (excerpt)：

InP基板上に、ZnおよびSeを含有し、かつ、Cdおよび/またはHgを含有するII-VI族化合物半導体層が積層され、該半導体層の格子定数と該基板の格子定数とがほぼ等しくされている半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-091270
特開平4-219984
特開平3-087073

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