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J-GLOBAL ID：200903053752455629

光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット

Inventor： 畠山 直紀 ,  小田 淳一
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 富田 和夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998157528
Publication number (International publication number)：1999350121
Application date： Jun. 05, 1998
Publication date： Dec. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】 レーザーを用いて情報の記録および消去を行う光ディスクなどの光メディアに用いられる保護膜を形成するための、硫化亜鉛-二酸化ケイ素焼結体からなる高出力スパッタリング中に光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 硫化亜鉛素地中に、平均粒径が10〜30μmの範囲内にありかつ比表面積値が0.5〜5.0m2 /gの範囲内にある二酸化ケイ素粒が均一分散している光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット。

Claim (excerpt)：

硫化亜鉛素地中に、平均粒径が10〜30μmの範囲内にありかつ比表面積値が0.5〜5.0m2 /gの範囲内にある二酸化ケイ素粒が均一分散している組織を有することを特徴とする光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット。

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  G11B 7/26 531

FI (2)：

C23C 14/34 A ,  G11B 7/26 531

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 光記録膜用保護膜のための焼結体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-083794   Applicant：住友金属鉱山株式会社